三星公布基于 HKMG 技术的单条 512GB DDR5 内存

三星的内存开发又取得了新的进展,早些时候他们正式公布了单条容量达 512GB 的 DDR5 新品。它是基于 HKMG 技术(High-K Metal Gate,高电介质金属栅极),速度能达到 7,200Mbps,是 DDR4 的两倍还要多。在 TSV 硅通孔技术的加持下,其成功将 8 层 16Gb DRAM 芯片堆叠在了一起,32 颗 DRAM 加在一起凑成了 512GB 的容量。

三星公布基于 HKMG 技术的单条 512GB DDR5 内存
三星公布基于 HKMG 技术的单条 512GB DDR5 内存

在 2018 年时,三星率先在用于 GPU 的 GDDR6 芯片上启用了 HKMG 技术。它选用了铪而非硅,并以金属取代了常规的多晶硅来打造栅极。这么设计的好处是能实现更高的芯片密度,并可减少漏电,进一步降低功耗。根据三星的测试,使用 HKMG 技术的芯片会比非 HKMG 产品省电 13%。

这样的优势非常适合数据中心、超级计算机、机器学习等应用场景,借三星的新闻稿,英特尔也透露该款 512GB 的 DDR5 内存将会适用于其下一代的 Sapphire Rapids Xeon Scalable 处理器。它的架构中将包含一款 8 通道 DDR5 内存控制器,配合三星的产品有望达到 460GB/s 的速度。至于普通的消费市场,估计要等到 2022 年 AMD 公布支持 DDR5 的 Zen 4 平台之后,才能慢慢提高普及度吧。

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关于峰三京

在加入 Engadget 之后,Sanji 终于实现了「在快节奏都市生活但按照自己步调工作」的理想。如今穿睡衣办公已是他的常态,喜欢做的事情,是在看片时留意那些不经意出现的数码产品。另外,收集旧手机也是他的兴趣之一,最大的愿望,就是手中的 Infobar C01 有朝一日可以正常插卡使用。

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