三星的内存开发又取得了新的进展，早些时候他们正式公布了单条容量达 512GB 的 DDR5 新品。它是基于 HKMG 技术（High-K Metal Gate，高电介质金属栅极），速度能达到 7,200Mbps，是 DDR4 的两倍还要多。在 TSV 硅通孔技术的加持下，其成功将 8 层 16Gb DRAM 芯片堆叠在了一起，32 颗 DRAM 加在一起凑成了 512GB 的容量。
在 2018 年时，三星率先在用于 GPU 的 GDDR6 芯片上启用了 HKMG 技术。它选用了铪而非硅，并以金属取代了常规的多晶硅来打造栅极。这么设计的好处是能实现更高的芯片密度，并可减少漏电，进一步降低功耗。根据三星的测试，使用 HKMG 技术的芯片会比非 HKMG 产品省电 13%。
这样的优势非常适合数据中心、超级计算机、机器学习等应用场景，借三星的新闻稿，英特尔也透露该款 512GB 的 DDR5 内存将会适用于其下一代的 Sapphire Rapids Xeon Scalable 处理器。它的架构中将包含一款 8 通道 DDR5 内存控制器，配合三星的产品有望达到 460GB/s 的速度。至于普通的消费市场，估计要等到 2022 年 AMD 公布支持 DDR5 的 Zen 4 平台之后，才能慢慢提高普及度吧。